Нет фото

Фотодиод ФД-299М

Оценка: 
Голосов пока нет
Производитель: 
Цена: по запросу
Гарантии: 100% гарантия качества на весь ассортимент. Продукция поставляется с первичной заводской поверкой.

Кремниевый четырехэлементный матричный p-n фотодиод ФД299М применяется для датчиков ближнего ИК-излучения

Отличительные особенности

  • повышенная стойкость к ионизационным излучениям;
  • негерметичное безкорпусное исполнение.
Технические характеристики

Наименование параметра

Значение

Площадь фоточувствительного элемента (ФЧЭ), мм2

2х2

Режим работы - фотогальванический, без подачи напряжения смещения. Токовая интегральная чувствительность каждого ФЧЭ при напряжении смещения Uсм= 0 В, мА/лм, не менее

3,6

Область спектральной чувствительности, мкм

0,4-1,0

Емкость каждого ФЧЭ при Uсм= 0 В, пФ, не более

60

Габаритные размеры фотодиода ФД299М

рис. 1 - Габаритные размеры фотодиода ФД299М